存贮器测试仪，SIMM、DRAM、SRAM。 
产品特点： 
·具有Sorting功能，可将从ATE中淘汰下来的DRAM(含任何封装形式)，自动作内部从新组合(将损坏部份之I／O线路Disable)，即可再使用。
·内建有可设定的动态负载(dynamicloading)及双临界值、超快速之比较器，对于测试中常须驱动资科汇流排上高电容及低电阻负载时，相当有用。
·提供基本型、加强型、快检型及自行定义型的测试圆形(testpatterm)。
·对工作电流(1ccl)，备用电流(1cc2)及资料保持电流(1dr)提供了精确的量测及GO／NOGO测试。广大的测试范围之种类：记忆容量范围从4K x 1-l6Mx1，1K x 4-4M x 4，2K x 8-512K x8。SIMM之脚数30pin，64pin，72pin，200pin。适用封装方式DIP.ZIP.SOJ.SIP.PLCC及TSOP。
·DRAM的动态参数Trad.Trcd(解析度为1ns)及刷新间隔完全可依电路的要求来设定，此实时的功能测试，避免了在仪器上测诚是好的，但实际在工作中却是坏的困扰。
·主机采用插入式模块设计，可随时做功能提升
·对DRAM、SIMM．SRAM及PCMCIA卡提供实时的功能分析测试。
·具有2ns解析度及多种测量模式的精准存取时间量测(Tace．Taa，Trac，Tcac)。
·使用DMA及高速硬体测试电路，大量降低测试时间。 

技术规格： 
·具有Sorting功能，可将从ATE中淘汰下来的DRAM(含任何封装形式)，自动作内部从新组合(将损坏部份之I／O线路Disable)，即可再使用。 ·内建有可设定的动态负载(dynamicloading)及双临界值、超快速之比较器，对于测试中常须驱动资科汇流排上高电容及低电阻负载时，相当有用。 ·提供基本型、加强型、快检型及自行定义型的测试圆形 (testpatterm)。 ·对工作电流(1ccl)，备用电流(1cc2)及资料保持电流(1dr)提供了精确的量测及GO／NOGO测试。广大的测试范围之种类：记忆容量范围从 4K x 1-l6Mx1，1K x 4-4M x 4，2K x 8-512K x8。SIMM之脚数有 30pin，64pin，72pin，200pin。适用封装方式 DIP.ZIP.SOJ.SIP.PLCC及TSOP。 ·DRAM的动态参数Trad.Trcd(解析度为1ns)及刷新间隔完全可依电路的要求来设定，此实时的功能测试，避免了在仪器上测诚是好的，但实际在工作中却是坏的困扰。 ·主机采用插入式模块设计，可随时做功能提升 ·对DRAM、SIMM．SRAM及PCMCIA卡提供实时的功能分析测试。 ·具有2ns解析度及多种测量模式的精准存取时间量测(Tace．Taa， Trac，Tcac)。 ·使用DMA及高速硬体测试电路，大量降低测试时间